英諾賽科（Innoscience）創(chuàng)立于2015年12月17日，旨在打造全球最大的采用全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體氮化鎵（GaN ）的生產(chǎn)基地。英諾賽科是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產(chǎn)業(yè)鏈模式，建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。 公司核心技術(shù)團(tuán)隊由眾多資深的國際一流半導(dǎo)體專家組成，我們相信GaN可以改變世界，我們的目標(biāo)是以更低的價格，向客戶提供品質(zhì)一流、可靠性優(yōu)異的GaN器件，并且實現(xiàn)GaN技術(shù)在市場的廣泛應(yīng)用。